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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
14
26
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
26.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.8
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
14
读取速度,GB/s
13.9
26.4
写入速度,GB/s
9.5
19.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
4362
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM的比较
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
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