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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
13.9
16.6
写入速度,GB/s
9.5
12.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2952
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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