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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
26
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
24
读取速度,GB/s
13.9
16.9
写入速度,GB/s
9.5
8.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2821
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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