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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
39
左右 33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
9.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
39
读取速度,GB/s
13.9
14.4
写入速度,GB/s
9.5
9.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
1966
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
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