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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
36
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
36
读取速度,GB/s
13.9
14.4
写入速度,GB/s
9.5
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2490
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM的比较
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Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
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Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
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