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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
56
左右 54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
9.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
56
读取速度,GB/s
13.9
9.5
写入速度,GB/s
9.5
7.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2138
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
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