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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
37
读取速度,GB/s
13.9
15.3
写入速度,GB/s
9.5
12.9
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2973
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Mushkin 994083 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
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