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Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
比较
Kingston KVR24N17S8/4 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
总分
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
42
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
42
读取速度,GB/s
15.4
14.5
写入速度,GB/s
7.1
13.5
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2073
2750
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
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Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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