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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
75
186
左右 60% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3.9
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2.0
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
186
读取速度,GB/s
1,943.5
3.9
写入速度,GB/s
1,672.1
2.0
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
536
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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