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Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
75
左右 -178% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
4200
左右 4.57 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
27
读取速度,GB/s
1,943.5
17.8
写入速度,GB/s
1,672.1
14.5
内存带宽,mbps
4200
19200
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
3386
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
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