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Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Kingston KYXC0V-MIB 16GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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需要考虑的原因
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
75
左右 -121% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
4200
左右 4.57 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
34
读取速度,GB/s
1,943.5
14.8
写入速度,GB/s
1,672.1
9.9
内存带宽,mbps
4200
19200
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
2739
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM的比较
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB RAM的比较
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
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