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Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
48
75
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.6
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
4200
左右 4.57 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
48
读取速度,GB/s
1,943.5
11.6
写入速度,GB/s
1,672.1
8.4
内存带宽,mbps
4200
19200
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
2466
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF548C38-16 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
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