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Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB

总分
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Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

总分
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Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KVR533D2N4 512MB 需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 75
    左右 -178% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.5 left arrow 1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.5 left arrow 1,672.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 4200
    左右 4.57 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    75 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    1,943.5 left arrow 17.5
  • 写入速度，GB/s
    1,672.1 left arrow 12.5
  • 内存带宽，mbps
    4200 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
  • 时序/时钟速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    301 left arrow 3223

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Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
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内存RAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Kingston 9905700-012.A00G 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
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Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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