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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
19.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
50
左右 -108% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.3
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
24
读取速度,GB/s
5,143.3
19.5
写入速度,GB/s
1,905.1
16.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3718
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 99P5458-011.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-002.A00L 8GB
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