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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
19.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
50
左右 -56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.1
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
32
读取速度,GB/s
5,143.3
19.1
写入速度,GB/s
1,905.1
14.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3618
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
AMD R744G2133U1S 4GB
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