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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
50
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.9
5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
37
读取速度,GB/s
5,143.3
9.9
写入速度,GB/s
1,905.1
12.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2572
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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