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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
20
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
50
左右 -92% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
18.0
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
26
读取速度,GB/s
5,143.3
20.0
写入速度,GB/s
1,905.1
18.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
4005
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Mushkin 991586 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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