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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
50
左右 -56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.8
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
32
读取速度,GB/s
5,143.3
16.5
写入速度,GB/s
1,905.1
10.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2739
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
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