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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
20.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
50
左右 -108% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
18.4
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
24
读取速度,GB/s
5,143.3
20.2
写入速度,GB/s
1,905.1
18.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
4114
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
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Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
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