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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
50
左右 -85% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.4
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
27
读取速度,GB/s
5,143.3
17.6
写入速度,GB/s
1,905.1
17.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3845
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
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