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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
19.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
50
左右 -61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
31
读取速度,GB/s
5,143.3
19.5
写入速度,GB/s
1,905.1
14.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3391
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
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