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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB

总分
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

总分
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Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Micron Technology 16G3200CL22 16GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB 需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    5 left arrow 14
    测试中的平均数值
Micron Technology 16G3200CL22 16GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 50
    左右 -79% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.3 left arrow 1,905.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 6400
    左右 4 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    50 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    5,143.3 left arrow 14.0
  • 写入速度，GB/s
    1,905.1 left arrow 7.3
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    855 left arrow 2663

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Micron Technology 16G3200CL22 16GB RAM的比较

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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内存RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
内存RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
内存RAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
内存RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
内存RAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
内存RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
内存RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
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内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
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