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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
50
左右 -47% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
34
读取速度,GB/s
5,143.3
16.2
写入速度,GB/s
1,905.1
13.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3020
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
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Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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