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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
50
左右 -79% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.9
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
28
读取速度,GB/s
5,143.3
13.7
写入速度,GB/s
1,905.1
6.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2312
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
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