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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
50
左右 -85% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
27
读取速度,GB/s
5,143.3
12.8
写入速度,GB/s
1,905.1
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2785
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
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Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
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