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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
50
左右 -92% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
26
读取速度,GB/s
5,143.3
13.7
写入速度,GB/s
1,905.1
10.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2740
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
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