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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
50
左右 -72% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
29
读取速度,GB/s
5,143.3
16.0
写入速度,GB/s
1,905.1
12.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3287
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
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