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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
50
左右 -43% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
35
读取速度,GB/s
5,143.3
18.0
写入速度,GB/s
1,905.1
11.2
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3141
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
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