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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
18.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
50
左右 -127% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
22
读取速度,GB/s
5,143.3
18.1
写入速度,GB/s
1,905.1
12.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2580
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
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