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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
50
左右 -85% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
27
读取速度,GB/s
5,143.3
14.6
写入速度,GB/s
1,905.1
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2890
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB RAM的比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
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