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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
50
左右 -79% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
28
读取速度,GB/s
5,143.3
16.1
写入速度,GB/s
1,905.1
12.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2920
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
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