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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
50
左右 -117% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
23
读取速度,GB/s
5,143.3
16.6
写入速度,GB/s
1,905.1
13.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2548
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
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