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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
50
63
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.8
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
63
读取速度,GB/s
5,143.3
17.0
写入速度,GB/s
1,905.1
8.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2061
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
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