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Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
比较
Kingston KVT8FP-HYC 4GB vs Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
总分
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
总分
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
54
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
54
读取速度,GB/s
14.4
10.6
写入速度,GB/s
9.6
6.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2091
Kingston KVT8FP-HYC 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston ACR16D3LU1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
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