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Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
比较
Kingston KVT8FP-HYC 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
总分
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
28
读取速度,GB/s
14.4
17.6
写入速度,GB/s
9.6
13.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
3446
Kingston KVT8FP-HYC 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KL9A 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB RAM的比较
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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