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Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
比较
Kingston KVT8FP-HYC 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
总分
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
40
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
37
读取速度,GB/s
14.4
14.7
写入速度,GB/s
9.6
11.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2688
Kingston KVT8FP-HYC 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
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