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Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
比较
Kingston KVT8FP-HYC 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
总分
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
27
读取速度,GB/s
14.4
18.6
写入速度,GB/s
9.6
16.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
3938
Kingston KVT8FP-HYC 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
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