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Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
比较
Kingston KVT8FP-HYC 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
总分
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
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需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
40
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
30
读取速度,GB/s
14.4
15.6
写入速度,GB/s
9.6
12.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
3164
Kingston KVT8FP-HYC 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
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