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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
比较
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB vs Kingston 9905713-030.A00G 8GB
总分
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
总分
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
差异
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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
30
读取速度,GB/s
11.8
15.6
写入速度,GB/s
7.2
11.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2921
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
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