RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
比较
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
总分
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
55
左右 47% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.5
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
5.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
55
读取速度,GB/s
9.4
19.5
写入速度,GB/s
5.1
8.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1432
2274
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB RAM的比较
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link