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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
比较
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
总分
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
总分
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
64
左右 55% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
5.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
64
读取速度,GB/s
9.4
17.5
写入速度,GB/s
5.1
9.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1432
2205
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
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