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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
比较
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
总分
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
55
左右 47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.4
9.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.4
5.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
55
读取速度,GB/s
9.4
9.3
写入速度,GB/s
5.1
7.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1432
2078
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AMD AE34G1601U1 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
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