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Kllisre 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
比较
Kllisre 8GB vs JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
总分
Kllisre 8GB
总分
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kllisre 8GB
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需要考虑的原因
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
42
46
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kllisre 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
42
读取速度,GB/s
11.7
16.7
写入速度,GB/s
8.6
11.8
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2349
3284
Kllisre 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
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