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Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
比较
Kllisre DDR4-8GB 8GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
总分
Kllisre DDR4-8GB 8GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kllisre DDR4-8GB 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
46
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
35
读取速度,GB/s
11.4
14.9
写入速度,GB/s
8.1
10.1
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2311
2613
Kllisre DDR4-8GB 8GB RAM的比较
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
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