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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
59
左右 -168% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
22
读取速度,GB/s
4,168.0
18.2
写入速度,GB/s
1,855.7
13.6
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
3297
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
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