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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
59
左右 -228% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
18.5
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
18
读取速度,GB/s
4,168.0
21.4
写入速度,GB/s
1,855.7
18.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
3625
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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