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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
59
左右 -119% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.8
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
27
读取速度,GB/s
4,168.0
13.6
写入速度,GB/s
1,855.7
10.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
2418
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
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