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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
59
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.3
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
30
读取速度,GB/s
4,168.0
17.9
写入速度,GB/s
1,855.7
13.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
3226
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
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