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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
59
左右 -79% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
33
读取速度,GB/s
4,168.0
16.1
写入速度,GB/s
1,855.7
11.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
3084
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
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Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
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