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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
59
左右 -51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
39
读取速度,GB/s
4,168.0
15.3
写入速度,GB/s
1,855.7
12.1
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
2760
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
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